В ходе выставки Nanotech 2013 компания Toshiba продемонстрировала 300-миллиметровую пластину с чипами флэш-памяти плотностью 128 Гбит, изготовленными по 19-нанометровой технологии. На данный момент 19-нанометровая технология является наиболее передовой, особенной в массовом производстве.
В этих чипах используется технология хранения трех бит информации в одной ячейке (TLC) NAND. Для уменьшения взаимного влияния ячеек друг на друга, специалисты Toshiba использовали воздушные зазоры в плавающих затворах. Как утверждает производитель, за счет этого по надежности работы новая память не уступает памяти, изготавливаемой по 24-нанометровой технологии. Указанный прием Toshiba рассчитывает применять и в последующих поколениях техпроцесса.
Количество циклов перезаписи показанной памяти — несколько сотен, что на порядок меньше числа циклов перезаписи памяти типа MLC NAND, хранящей в каждой ячейке по два бита информации. В результате ее область применения ограничена флэшками, картами памяти и другими подобными приложениями.
Источник: Tech-On!
