Компания Toshiba Memory Corporation сообщила о создании флэш-памяти BiCS FLASH, способной хранить в каждой ячейке четыре бита (QLC), за счет чего удается увеличить объем по сравнению с памятью TLC NAND.
В прототипе с объемной компоновкой насчитывается 64 слоя ячеек QLC NAND. Его плотность — 768 Гбит. Поставки ознакомительных образцов производителям SSD и контроллеров для SSD уже начались.
Упаковав 16 таких кристаллов QLC 3D NAND в одном корпусе, удалось получить микросхему рекордно большого объема: 1,5 ТБ. Производитель обещает показать ее на мероприятии 2017 Flash Memory Summit, которое пройдет в Санта-Кларе с 7 по 10 августа.
Источник: Toshiba
