Компаниям IBM, Globalfoundries и Samsung, входящим в объединение Research Alliance, с помощью поставщиков оборудования удалось разработать первый в отрасли техпроцесс для изготовления транзисторов с нанослоями кремния. Эти транзисторы позволят выпускать 5-нанометровые микросхемы. Отметим, что с момента, когда IBM удалось создать первую 7-нанометровую микросхему с функционирующими транзисторами, прошло менее двух лет.
Особенностью новых транзисторов, как уже было сказано, являются наноструктуры. В отличие от обычного транзистора FinFET, 5-нанометровый транзистор, созданный участниками Research Alliance, имеет затвор из нескольких кремниевых «нанолистов».
По сравнению с наиболее передовой существующей технологией — 10-нанометровой — новая технология может обеспечить увеличение производительности на 40% при таком же энергопотреблении или снижение энергопотребления на 75% при той же производительности.
Исследователи отмечают, что им не просто удалось практически продемонстрировать работоспособность выбранного подхода. По их словам, появление 5-нанометровых микросхем — вопрос не столь отдаленного будущего.
Представитель Globalfoundries подтвердил, что вслед за коммерциализацией в 2018 году 7-нанометрового техпроцесса компания рассчитывает приступить к освоению нормы 5 нм и менее. Как и 7-нанометровая, новая технология построена на использовании литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
Подробности о разработке будут представлены на открывающейся сегодня в Токио конференции, посвященной вопросам проектирования и изготовления БИС.
Источник: IBM Research
