По сообщению источника, компания Samsung Electronics намерена инвестировать 2,64 млрд долларов в увеличение выпуска памяти типа DRAM. Средства будут направлены на расширение предприятия Line 17 в корейском городе Хвасон.
Во второй половине года на фабрике Line 17 должен начаться выпуск 10-нанометровой памяти DRAM. Предприятие выпускает не только DRAM, но и флэш-память 3D NAND. Кроме того, в планах производителя значится освоение на этой фабрике выпуска логических микросхем.
В будущем запланирована постройка новой фабрики рядом с Line 17. Вероятнее всего, она будет выпускать логические БИС по нормам 7 нм.
Источник: CDR info
