Спецификации памяти DDR4 были приняты не так давно. Ожидаемое время появления на рынке таких модулей — конец 2013 либо начало 2014 года.
На выставке CES можно было увидеть стенд компании Crucial, на котором уже демонстрировали работу подобных модулей. Образец работал на неизвестной платформе Intel, которую называли Frankenstein Box.
Микросхемы памяти образца созданы по 30-нанометровому техпроцессу. Частота работы равнялась 2133 МГц. Стандартное напряжение модулей памяти DDR4 будет составлять 1,2 В, что позволит ощутимо снизить энергопотребление и тепловыделение. Хотя, скорее всего, радиаторы (и особенно гигантские радиаторы) никуда не денутся. При стандартном исполнении DIMM, модуль будет насчитывать 284 контакта. Скорость передачи данных вдвое превышает показатели DDR3.
Если вспомнить эволюционное развитие памяти, начиная DDR и заканчивая нынешней DDR3, то можно предположить, что к концу своего жизненного цикла стандартная частота памяти DDR4 превысит 4 ГГц.
Crucial планирует выпускать на новых чипах модули памяти типа RDIMM, LRDIMM, SO-DIMM и UDIMM.
Напомним, что первой о создании модулей памяти DDR4 сообщила компания Samsung.
Источник: AnandTech
