По данным представителей отрасли, на которых ссылается источник, китайские производители полупроводниковой продукции, включая компанию Huali Microelectronics (HLMC), планируют освоить технологию FD-SOI. К этому их побуждает высокая конкуренция в сегменте FinFET, где работают такие гиганты как Intel, Samsung и TSMC.
Не отказываясь от использования FinFET на этапах 28 и 14 нм, компания HLMC рассматривает в качестве более экономичной альтернативы возможность освоения FD-SOI на фабрике, рассчитанной на 300-миллиметровые пластины.
Будучи более доступной по стоимости, эта технология может привлечь китайских разработчиков микросхем для IoT, не располагающих собственными мощностями. Основным контрактным производителем, предлагающим FD-SOI, является Globalfoundries.
В 2015 году компания Globalfoundries представила первую в отрасли 22-нанометровую технологическую платформу FD-SOI — 22FDX. Как утверждается, платформа 22FDX обеспечивает уровни производительности и энергопотребления, близкие к FinFET, при стоимости, сравнимой с 28-нанометровыми планарными технологиями. В приложениях, где нет острой необходимости в предельной производительности транзисторов FinFET, 22FDX обеспечивает выигрыш в стоимости и энергопотреблении.
В прошлом году компания Globalfoundries представила 12-нанометровую технологическую платформу FD-SOI, а на прошлой неделе стало известно, что Globalfoundries расширяется, инвестируя в производства, расположенные в четырех странах. В частности, в Китае компания Globalfoundries собирается построить фабрику, рассчитанную на 300-миллиметровые пластины, на которой будет использоваться техпроцесс 22FDX. Выпуск продукции предприятие должно начать в 2018 году.
Источник: Digitimes
