Компания Sony сообщила о разработке первого в отрасли трехслойного датчика изображения типа CMOS со встроенной памятью DRAM. Датчик предназначен для камер смартфонов.
По устройству датчик напоминает двухслойные датчики с обратной засветкой, в которых кристалл датчика со светочувствительными элементами расположен поверх кристалла с цепями обработки сигнала. Отличием является третий слой с кристалл с памятью DRAM.
Наличие памяти DRAM существенно повышает быстродействие датчика. В результате становятся доступными такие возможности, как съемка быстродвижущихся объектов с минимальными искажениями в фокальной плоскости, а также видеосъемка с кадровой частотой до 1000 к/с (примерно в восемь раз выше, чем у обычных датчиков) при разрешении Full HD (1920 x 1080 пикселей). Новая схема считывания обеспечивает скорость, позволяющую получить изображение разрешением 19,3 Мп всего за 1/120 с.
Когда трехслойные датчики появятся в ассортименте компании, пока неизвестно.
Источник: Sony
