В октябре компания Samsung приступила к производству первых в отрасли микросхем памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, предназначенных в первую очередь для мобильных устройств.
Теперь же компания SK Hynix первой наладила выпуск микросхем памяти LPDDR4X DRAM аналогичного объёма. Микросхемы включают в себя четыре кристалла плотностью 16 Гбит.
Такая память работает при напряжении всего 0,6 В против 1,1 В у LPDDR4, что значительно снижает энергопотребление микросхем. При подключении к 64-разядной шине памяти пропускная способность данных достигает 34,1 ГБ/с. Также эти микросхемы выделяются самыми маленькими в сегменте корпусами размером 12 х 12,7 мм при толщине менее 1 мм. Компания отмечает, что микросхемы будут использоваться не только в смартфонах и планшетах, но и в ноутбуках верхнего ценового сегмента и автомобильной электронике.
Источник:
SK Hynix
