По сообщению источника, компания SK Hynix намерена во втором квартале 2017 года приступить к серийному производству микросхем памяти DRAM по нормам 10-нанометрового класса. В этом случае она станет вторым производителем, освоившим выпуск этой продукции. Первой выпускать память DRAM 10-нанометрового класса начала компания Samsung Electronics.
Завершив разработку памяти DRAM, рассчитанной на выпуск по технологи 10-нанометрового класса первого поколения (1x), SK Hynix планирует немедленно взяться за поколения 1у и 1z. Хотя во всех случаях нормы лежат в диапазоне 10-20 нм, переход к каждому следующему поколению приводит к фактическому повышению степени интеграции.
Ускорив освоение технологий 1у и 1z, SK рассчитывает сократить отставание от Samsung. Согласно отраслевым оценкам, на этапе 2z разрыв между Samsung и SK Hynix составлял примерно полтора года. Если SK Hynix удастся начать серийный выпуск 1x DRAM во втором квартале, отставание от Samsung сократится на три месяца. Одновременно увеличится отрыв SK Hynix от компании Micron.
Источник: ETnews
