Изготовление первых пробных пластин с разнообразными чипами, в которых используются 14-нанометровые транзисторы FinFET, компания Globalfoundries рассчитывает начать в первом квартале будущего года. Об этом сообщил источник со ссылкой на слова Майкла Нунена (Michael Noonen), исполнительного вице-президента компании по маркетину и продажам.
Таким образом, господин Нунен подтвердил и конкретизировал ранее известную информацию о планах Globalfoundries.
Массовый выпуск продукции по представленному в сентябре техпроцессу 14nm-XM в компании планируют освоить в 2014 году, через год после освоения 20-нанометрового производства. Секретом столь быстрого продвижения является выбранный подход: в техпроцессе 14nm-XM новая 14-нанометровая архитектура транзистора FinFET будет объединена с элементами техпроцесса 20nm-LPM. Ожидается, что переход от 20nm-LPM к 14nm-XM позволит улучшить показатели энергетической эффективности микросхем, но не уменьшить площадь кристаллов.
На первых пластинах 14nm-XM будут собраны тестовые проекты разных заказчиков, первыми проявивших интерес в новой технологии. Компания Globalfoundries начала предлагать инструментарий, необходимый для подготовки проектов 14nm-XM, в сентябре.
Господин Нунен уточнил, что процесс 14nm-XM основан на использовании подложек из монолитного кремния. Как известно, в 28-нанометровом и 20-нанометровом техпроцессах компания использует подложки из полностью обедненного кремния на изоляторе (FD-SOI). По словам представителя компании, Globalfoundries в состоянии выпускать 20-нанометровую продукцию серийно на недавно введенной в строй фабрике Fab 8 в Нью-Йорке. Выпускает ли уже фабрика такую продукцию на заказ, господин Нунен сообщить отказался.
Источник: EE Times
