С 3 по 7 декабря в Сан-Франциско пройдет конференция International Electron Devices Meeting (IEDM), на которой ведущие производители полупроводниковой продукции расскажут о своих разработках в области 7-нанометровых техпроцессов.
Компании IBM, Globalfoundries и Samsung сделали ставку литографию с использованием жесткого ультрафиолетового излучения (EUV). Использование EUV означает переход к источнику излучения с гораздо меньшей длиной волны по сравнению с используемыми сейчас (13,5 нм против 193 нм). Кроме того, в этом техпроцессе используется напряженный кремний и соединение кремния и германия. Это упрощает формирование очень тонких структур, но сложности, с которыми столкнулись партнеры при разработке техпроцесса, позволяют предположить, что TSMC раньше приступит к коммерческому выпуску продукции по нормам 7 нм.
TSMC предпочла окончательно выбрать потенциал иммерсионной технологии CMOS. По словам производителя, переход на нормы 7 нм позволит утроить плотность компоновки транзисторных структур и увеличить производительность на 35-40% или уменьшить потребляемую мощность на 65% по сравнению с изделиями, изготавливаемыми по 16-нанометровому техпроцессу. К пробному выпуску такой продукции в TSMC рассчитывают приступить уже в будущем году.
Компания GlobalFoundries недавно пообещала, что выпуск 7-нанометровой продукции с применением литографии EUV на «ключевых уровнях», начнется в 2018 году.
Компания Intel пока не рассказывает о своих достижениях по части освоения технологических норм 7 нм. Возможно, на этом этапе конкуренты обойдут многолетнего технологического лидера.
Источник: CDR info
