Бельгийский исследовательский центр Imec анонсировал совместный с компанией Nantero проект, направленный на создание энергонезависимой памяти на основе углеродных нанотрубок (CNT). Характерный размер элементов этой памяти будет меньше 20 нм. По мнению Imec, память на основе CNT может стать заменой флэш-памяти и памяти типа DRAM одновременно.
Американская компания Nantero ведет разработку памяти на основе CNT, которую она называет NRAM, с 2000 года. По словам разработчиков, память NRAM значительно превзойдет по степени интеграции и быстродействию память типа DRAM, будет иметь значительно меньшее энергопотребление чем у DRAM и флэш-памяти, и будет подходить для портативных устройств.
В 2006 году разработчикам удалось создать работоспособный образец 22-нанометрового ключа NRAM, в котором использовалась композиция из нанотрубок и дорожек, сформированных литографией. Исследователи получили возможность придать CNT бистабильное состояние, характеризующееся разными значениями сопротивления.
Imec и Nantero планируют изготавливать и тестировать массивы ячеек NRAM. Полученные данные будут использоваться при разработке памяти на основе CNT более высокой плотности. Речь идет о «терабитных» микросхемах.
Отметим, что Nantero уже выпускает на оборудовании для техпроцесса CMOS чипы NRAM плотностью 4 Мбит.
Эта память характеризуется временем записи 3 нс, неограниченным числом циклов перезаписи (пока успешно проверена запись в течение 1012 циклов). Немаловажно, что память выдерживает высокие температуры и имеет низкое энергопотребление.
Источник: IMEC
