Чудо-материал графен, часто упоминаемый как преемник кремния на этапе, когда дальнейшее развитие микроэлектроники по традиционному пути упрется в физические барьеры, имеет альтернативу в виде силицена. Силицен — подобное графену двумерное аллотропное соединение, но выстроенное из атомов кремния, а не углерода.
Привлекательность силицена объясняется тем, что именно с кремнием микроэлектроника работает уже более пяти десятков лет, то есть потенциально возможна совместимость с существующим полупроводниковым производством. Кроме того, к плюсам силицена относят относительно малую окисляемость кислородом и большую гибкость по сравнению с графеном.
В 2015 году были созданы полевые транзисторы из силицена, подтвердившие перспективность работ в этом направлении. Однако пока серьезным препятствием является сложность получения силицена. Ситуацию может изменить разработка ученых из университета Вуллонгонг в Австралии, о которой рассказал источник.
Исследователи разработали технологию отделения слоя силицена (на иллюстрациях показан розовым цветом) от металлической подложки (серый), на которой его выращивают, покрытой промежуточным слоем (желтый).
Из-за малой толщины силицена никакие механические способы не эффективны.
Секрет заключался в том, чтобы запустить под силицен молекулы кислорода (зеленый), изолирующие его от металла, после чего пленка силицена легко отделяется от подложки.
Исследователи вводили молекулы кислорода с помощью сканирующего туннельного микроскопа. По словам участников проекта, в вакуумной камере молекулы кислорода двигались направленным потоком, срезая силицен с подложки, словно ножницами. Ученые полагают, что их достижение совершит переворот в исследовании силицена, поскольку устраняет одну из основных сложностей с его получением.
Источник: IEEE Spectrum
