Компания Western Digital поделилась успехом в разработке флэш-памяти с объемной компоновкой (3D NAND). Новая память BiCS3 включает 64 слоя ячеек, каждая из которых может хранить три бита. Память BiCS3 была разработана совместно с Toshiba. Пробный выпуск этой памяти уже начат на фабрике в Йоккайчи (Япония), принадлежащей совместному предприятию компаний Toshiba и SanDisk. Последняя, как известно, недавно была приобретена компанией Western Digital.
Плотность первых кристаллов BiCS3 — 256 Гбит. Планируется выпуск микросхем объемом до 512 ГБ. В Western Digital собираются начать поставки образцов заказчикам из числа OEM уже в текущем квартале, а массовые поставки памяти для продукции, предназначенной для розничной продажи, должны начаться в четвертом квартале 2016 года. Производитель отмечает, что поставки памяти предыдущего поколения BiCS2 тоже продолжатся.
Источник: Western Digital
