Аналитическая компания IHS iSuppli, поделившаяся мнением относительно будущего рынка датчиков движения, одновременно опубликовала анализ ситуации с оперативной памятью в смартфонах.
По оценке специалистов IHS iSuppli, средний объем памяти типа DRAM в расчете на один смартфон в этом году увеличится на 50% по сравнению с прошлым годом. В 2010 году средний объем составлял 202 МБ, в 2011 — 453 МБ, а в текущем он достигнет 666 МБ. Аналитики объясняют это ростом разрешения экранов, расширением функций и увеличением производительности аппаратов.
В связи с ростом объема памяти изменяется и распределение долей рынка по используемым микросхемами. Так, в этом году микросхемы плотностью 4 Гбит составят примерно 37% поставок DRAM для смартфонов, плотностью 8 Гбит — 36%.
В будущем году ситуация изменится: микросхемы плотностью 8 Гбит станут более востребованными и займут 46% рынка, а доля микросхем плотностью 4 Гбит сократится до 28%.
Со временем на позицию лидера выйдут микросхемы плотностью 16 Гбит, занимающие в этом году всего 2% рынка. Уже в будущем году они составят 15% общего объема поставок, а к 2015 году займут 56% рынка.
Источник: IHS iSuppli
