Специалистами национального университета Сингапура (NUS) создана, по их утверждению, первая в мире гибкая микросхема магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Внешне она выглядит как кусочек прозрачной пленки с едва заметным рисунком на ней.
К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и способность хранить информацию в отсутствие питания, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND. К сожалению, по плотности MRAM пока уступает указанным типам памяти.
Исследователи, работающие в NUS, уже запатентовали свою разработку в США и Южной Корее. Они рассчитывают применить подходы, позволившие создать гибкую память MRAM, для создания других гибких электронных приборов, которые тоже могут найти применение в носимой электронике.
Источник: NUS
