По сообщению источника, компания Google недавно опубликовала отчет, в котором сказано, что у 30-80% твердотельных накопителей, используемых в вычислительных центрах компании, в течение четырех лет эксплуатации появились дефектные блоки.
Дефектный блок возникает вследствие механического или электрического повреждения ячеек памяти, которое делает его использование невозможным.
Повреждения связаны с износом ячеек памяти, ресурс которых в случае широко используемой флэш-памяти MLC NAND составляет всего несколько тысяч циклов перезаписи. Поврежденные ячейки теряют записанные в них данные. В отчете Google сказано, что системы хранения на базе SSD в целом менее подвержены возникновению ошибок, чем системы на HDD, но у первых гораздо выше доля некорректируемых ошибок. Особенно эта проблема свойственна накопителям на флэш-памяти с плавающими затворами.
Компания Samsung Electronics, являющаяся крупнейшим поставщиком флэш-памяти NAND, недавно начала выпускать флэш-память память с объемной компоновкой. Это память не с плавающим затвором, а с ловушкой заряда (CTF), которая отличается более высокой стабильностью. Справедливости ради уточним, что технология CTF известна с конца 60-х годов и используется во флэш-памяти с объемной компоновкой всеми производителями. Еще одним достоинством CTF является снижение себестоимости памяти за счет меньшего числа технологических этапов, повышения процента выхода годной продукции и возможности уменьшения технологических норм.
Источник: CDR Info
