Новости о техпроцессах обычно касаются логических микросхем и микросхем памяти, и в последнее время в них фигурируют нормы менее 20 нм. Между тем, значительная часть полупроводниковой продукции выпускается по более крупным нормам и оптимизируется по другим критериям. Например, это касается радиочастотных изделий, для выпуска которых предназначен новый техпроцесс SiGe 8XP, представленный компанией Globalfoundries.
Это техпроцесс нового поколения, позволяющий изготавливать германиево-кремниевые приборы для микроволновых радаров, систем спутниковой связи, базовых станций сотовых сетей и других радиочастотных приложений.
Техпроцесс, в котором используются нормы 130 нм, является оптимизированной версией техпроцесса SiGe 8HP. По словам производителя, он позволяет изготавливать биполярные транзисторы с гетеропереходом (HBT), которые характеризуются меньшим уровнем шума и большей целостностью, а по максимальной частоте генерации, равной 340 ГГц, на 25% превосходят транзисторы, изготовленные по техпроцессу SiGe 8HP. По параметрам они оставляют далеко позади кремниевые транзисторы (CMOS), а по цене оказываются привлекательнее транзисторов из арсенида галлия (GaAs). Частью техпроцесса является новая технология медной металлизации, рассчитанной на более высокие токи и температуры по сравнению с используемой сейчас. Совместно с SiGe 8XP можно использовать технологию межслойных соединений TSV
По словам Globalfoundries, потребность в полупроводниковых изделиях, изготавливаемых по техпроцессу SiGe 8XP, будет расти в связи с внедрением сетей 5G.
Источник: Globalfoundries
