В декабре прошлого года появилась информация, что Samsung приступит к массовому производству памяти DRAM по нормам 18 нм во втором квартале 2016. Согласно новым сведениям, южнокорейский производитель освоил новую технологию с опережением срока и уже приступил к выпуску этой продукции.
Важно понимать, что рубеж 20 нм считался непреодолимым при производстве DRAM, пока в конце прошлого года специалисты Samsung не рассказали, как можно уменьшить DRAM до технологических норм 10 нм. Таким образом, компания Samsung стала первым и пока единственным производителем, освоившим выпуск DRAM по нормам менее 20 нм.
Переход к более тонким нормам позволяет снизить себестоимость памяти, обеспечивая Samsung конкурентное преимущество на рынке, страдающем от сокращения спроса на ПК и ослабления интереса к мобильным устройствам.
По данным источника, компания Samsung уже заказала дополнительное оборудование для выпуска памяти по нормам 18 нм, которое будет введено в эксплуатацию во втором полугодии. Именно тогда на рынке DRAM может развернуться настоящая драма — южнокорейский производитель сможет продавать свою продукцию с прибылью по такой цене, при которой производство по нормам 20-нанометрового класса становится убыточным. Уточним, что ближайший конкурент Samsung — SK Hynix — выпускает память DRAM по нормам менее 25 нм, тогда как Micron — более 25 нм. По оценке аналитиков, отставание Micron от лидера отрасли превысило два года. В этих условиях продажа Micron китайцам может оказаться более реальной перспективой, чем казалось до недавнего времени.
Источник отмечает повышенные меры секретности, принимаемые компанией Samsung, не желающей, чтобы ее технологические секреты раньше времени попали в руки конкурентов. Как утверждается, о необходимости хранить тайну производитель предупредил заказчиков, получающих ознакомительные образцы новых микросхем.
Источник: ETNews
