Неделю назад организация JEDEC Solid State Technology Association опубликовала спецификации обновлённой памяти HBM, которую также можно назвать HBM2. Такая память должна появиться на новых флагманских видеокартах Nvidia и AMD, которые выйдут в текущем году.
Samsung же сообщила, что приступила к массовому производству такой памяти, тогда как микросхемы памяти первого поколения производила лишь Hynix. Сейчас корейский гигант приступил к выпуску микросхем объёмом 4 ГБ. Если быть точным, то стеков такого объёма, каждый из которых состоит из четырёх микросхем плотностью 8 Гбит. Они производятся по 20-нанометровому техпроцессу.
Использование четырёх таких стеков, как несложно подсчитать, позволит оснащать видеокарты 16 ГБ памяти. Но спецификации обновлённой памяти HBM позволяют выпускать стеки объёмом 8 ГБ. К производству такой продукции Samsung приступит в течение года, хотя для потребительских видеокарт 32 ГБ памяти совершенно излишни. Напомним также, что пропускная способность новой памяти достигает 256 ГБ/с.
Источник:
Samsung
