Смартфоны уже не первый год опережают ноутбуки и настольные ПК по объёму оперативной памяти на борту. Компания Samsung решила ещё сильнее увеличить этот разрыв. Для будущих аппаратов премиального класса она начала масштабный выпуск 16-Гбайт чипов DRAM LPDDR5.
Новые микросхемы памяти Samsung рекордной ёмкости состоят из 12 сложенных в столбик кристаллов. Восемь из них имеют объём по 12 Гбит, а четыре ― по 8 Гбит. В сумме выходит одна микросхема памяти объёмом 16 Гбайт. Очевидно, что если бы все кристаллы в стеке были бы по 12 Гбит, то Samsung представила бы 18-Гбайт чип, что, вероятно, она сделает в обозримом будущем.
Микросхема Samsung ёмкостью 16 Гбайт выполнена в стандарте LPDDR5 с пропускной способностью 5500 Мбит/с по каждому контакту шины данных. Это примерно в 1,3 раза быстрее, чем в случае мобильной памяти LPDDR4X (4266 Мбит/с). Если сравнивать с 8-Гбайт чипом LPDDR4X (упаковкой), то новая 16-Гбайт микросхема LPDDR5 на фоне двукратного удвоения объёма и роста скорости обеспечивает 20-процентную экономию по потреблению.
Отметим, 16-Гбайт чип LPDDR5 собран из кристаллов памяти, выпущенных с использованием второго поколения техпроцесса класса 10 нм. Во второй половине этого года на предприятии в Южной Корее Samsung обещает приступить к массовому выпуску 16-Гбит кристаллов LPDDR5 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм. Эти кристаллы будут не только самыми ёмкими, но также будут более быстрыми с пропускной способностью 6400 Мбит/с на контакт.
Современные премиальные смартфоны и смартфоны ближайшего будущего, уверены в Samsung, не смогут обойтись без внушительного объёма оперативной памяти. «Умная» фотография с расширением динамического диапазона и другими «фишками», мобильные игры с потрясающей графикой, виртуальная и дополненная реальности ― всё это с подкреплением сетями 5G с увеличенной пропускной способностью и, что более важно, с уменьшенными задержками потребует более быстрого роста памяти в смартфонах, а не в ПК.
