Израильская компания Weebit Nano сообщила, что приближается к коммерческому производству памяти ReRAM (энергонезависимой резистивной памяти) с опережением графика на четыре месяца. Ранее целью Weebit было начать массовый выпуск памяти ReRAM в виде коммерческих продуктов в декабре 2020 года. Даже если производство стартует в обозначенный предыдущими планами срок, опережение графика на этапе подготовки к нему всё равно остаётся положительным результатом. Если что-то пойдёт не так, есть время исправить недочёты.
Weebit Nano
Новым пройденным этапом Weebit называет подтверждение характеристик массивов памяти ReRAM на кремниевых пластинах силами сводной команды израильских и китайских инженеров. Пластины с памятью ReRAM на своих опытных линиях выпускает французский институт CEA-Leti. Летом этого года Weebit заключила договор на производство ReRAM на китайском заводе местной компании XTX Technology (создана в 2014 году в Шэньчжэне).
Инженеры XTX подтвердили характеристики памяти ReRAM, став, по сути, независимыми экспертами этих новых электронных приборов. Тем самым компания XTX Technology согласилась и признала пользу интеграции технологии производства ReRAM в собственные фирменные продукты: энергонезависимую память для потребительской электроники, промышленных встраиваемых платформ, а также телекоммуникационного и сетевого оборудования.
Weebit Nano
Увы, Weebit и XTX Technology не раскрывают подробностей о протестированной памяти. Ранее стало известно, что CEA-Leti выпускает опытные массивы ReRAM компании Weebit на 200-мм пластинах с использованием 40-нм техпроцесса. Однако партнёры уверяли, что ещё до конца этого года выпустят 28-нм массивы памяти ReRAM. Это массивы для встраиваемой памяти, поэтому не стоит сравнивать её с NAND и 3D NAND для SSD. Память ReRAM по степени масштабирования и по надёжности к износу может заменить встраиваемую NAND, которая как раз осваивает 28-нм техпроцесс.
Также сообщим, что за последний месяц CEA-Leti сумел повысить уровень выпуска годных чипов ReRAM, подготовил три новых патента по производству резистивной памяти и утверждает, что для интеграции массивов ReRAM на кристалл SoC будет достаточно всего одной фотомаски, тогда как массивы eNAND для изготовления требуют от 7 до 10 дополнительных фотомасок.
