Тайваньская полупроводниковая кузница TSMC, которая сегодня является лидером в области контрактного производства чипов, весьма агрессивна в деле освоения передовых литографических норм. В настоящее время объёмы её инвестиций в исследования и разработки соответствуют или даже превосходят аналогичные показатели Intel. Это указывает на существование высокого спроса на новые технологии, который гарантирует продолжение бесконечной гонки за всё большей плотностью транзисторов и производительностью.
Согласно источникам в DigiTimes, TSMC приобрела 30 гектаров земли в Научном парке Южного Тайваня, чтобы начать строительство своих заводов, которые, как предполагается, в 2023 году начнут массовое производство с соблюдением 3-нм норм. Строительство 3-нм фабрик должно начаться в 2020 году, когда TSMC заложит основу будущих производств.
Ожидается, что 3-нм технологические нормы стянут третьим важным техпроцессом TSMC в области фотолитографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне EUV. Первым поколением стал техпроцесс 7 нм+, а следующим будут 5-нм нормы (стоит также отметить, что компания будет осваивать промежуточные 6-нм и 4-нм нормы EUV).
Напомним: TSMC уже приступила к рисковому 5-нм производству с широким применением литографии в глубоком ультрафиолете (N5), а в первом полугодии 2020 года собирается начать массовое производство. Первыми клиентами станут производители мобильных однокристальных систем и HPC. Тайваньский производитель отмечает, что её 5-нм нормы станут долгосрочными, как ранее 7-нм, 16-нм и 28-нм. TSMC также планирует начать рисковое производство с 6-нм нормами EUV в первом квартале 2020 года, а затем к концу года выйти на массовую печать чипов.
