По данным из индустриальных источников на Тайване, на которые ссылается интернет-ресурс DigiTimes, китайский производитель памяти компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) полным ходом ведёт подготовку линий к массовому выпуску памяти LPDDR4. Компания ChangXin, известная также под именем Innotron Memory, как утверждается, разработала собственный техпроцесс производства DRAM с использованием 19-нм технологических норм.
К коммерческому выпуску памяти на своём первом 300-мм предприятии ChangXin должна была приступить в первой половине 2019 года. Увы, пока этого не произошло. Но старт производства 8-Гбит чипов DDR4 LPDDR4 будет сопровождаться расширением мощностей до 20 тыс. 300-нм кремниевых подложек в месяц. Максимальная мощность линий на предприятии ChangXin достигает 125 тыс. 300-мм пластин в месяц. Но это тоже не предел. В компании сообщили, что в следующем году начнут строить второй завод для обработки 300-мм подложек с памятью.
В то же время этот китайский производитель может столкнуться с проблемами иного рода. Напомним, первая китайская компания, которая собиралась начать массовый выпуск памяти DRAM ― Fujian Jinhua ― попала в санкционный список США с запретом закупать у американских партнёров производственное оборудование. На Тайване считают, что ChangXin столкнётся с теми же проблемами, что и Fujian. К тому же она набрала на работу квалифицированных инженеров с бывшего тайваньского дочернего предприятия японской Elpida, бизнес которой поглощён американской Micron. Аналитики ждут исков к ChangXin со стороны Micron и санкций в случае отсутствия реакции китайской стороны.
Глава компании Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо, хозяин китайского производителя 3D NAND компании YMTC
Параллельно ChangXin ведёт разработку техпроцесса производства памяти с нормами 17 нм. Завершение разработки ожидается в 2021 году. Вероятно, второй завод ChangXin начнёт работу с выпуска кристаллов DRAM именно с этими нормами. Если, конечно, у неё на пути непреодолимой преградой не станут санкции США и происки Micron.
