Комитет JEDEC представил обновлённые спецификации стандарта JESD235, который описывает оперативную память типа High Bandwidth Memory (HBM). Обновлённый стандарт предлагает увеличение пропускной способности и объёма памяти данного типа.
Обновлённый стандарт JESD235B предполагает возможность создания стеков памяти типа HBM, состоящих из двух, четырёх, восьми и двенадцати слоёв, что позволяет получать сборки кристаллов общим объёмом от 1 до 24 Гбайт. Предыдущая версия стандарта предполагала укладку в штабель до восьми кристаллов, и максимальный объём достигал лишь 16 Гбайт. Каждый кристалл, напомним, может обладать объёмом до 16 Гбит (2 Гбайт).
Что касается пропускной способности, то она выросла с 2000 до 2400 Мбит/с на контакт. В результате общая пропускная способность одного стека памяти типа HBM, подключённого по 1024-битной шине, достигает 307 Гбайт/с, тогда как раньше этот показатель составлял 256 Гбайт/с. Получается, что, используя два стека HBM2 вместе с 2048-битной шиной, можно обеспечить пропускную способность до 614 Гбайт/с.
Конечно, это пока что лишь стандарт, и существует он только на бумаге, а потому пройдёт некоторое время, пока производители памяти действительно смогут предложить стеки с характеристиками, описанными выше. Однако в итоге подобные или близкие решения всё же должны появиться в высокопроизводительных вычислительных системах.
