В августе этого года компания SK Hynix анонсировала выпуск якобы нового типа флеш-памяти под названием «4D NAND». Теперь же сообщается, что производитель успешно создал данный тип памяти и готовится начать его массовое производство.
Сообщается, что компания создала 96-слойные микросхемы памяти «4D NAND» ёмкостью 512 Гбит, то есть 64 Гбайт. При этом площадь микросхемы оказалась на 30 % меньше по сравнению с 72-слойной микросхемой той же ёмкости. Также отмечается возросшая на 25 и 30 % производительность при чтении и записи соответственно.
До конца года компания SK Hynix планирует начать массовое производство данных 92-слойных микросхем ёмкостью 512 Гбит. В следующем же году компания собирается начать производство подобных микросхем объёмом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объёмом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.
Технология «4D NAND» по своей сути является скорее немного улучшенной версией уже давно используемой 3D NAND, нежели принципиально новым подходом к созданию твердотельной памяти. Новая память компании SK Hynix будет сочетать две важные особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, периферийные цепи, управляющие массивом ячеек, будут перенесены под сами ячейки (Periphery Under Cell, PUC).
Однако стоит отметить, что SK Hynix всегда выпускала память 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и большинство других производителей. Что касается переноса управляющей периферии под ячейки, то подобная технология, но под названием (CMOS under the array, CuA), давно используется Intel и Micron. А в скором времени и Samsung начнёт применять технологию CuA при производстве памяти 3D NAND. Так что чего-то действительно инновационного в памяти «4D NAND» от SK Hynix на самом деле нет.
