Свой отчёт о работе в третьем квартале календарного 2018 года опубликовала компания SK Hynix. Консолидированная выручка компании за отчётный период составила 11,42 трлн вон ($10 млрд), операционная прибыль достигла значения 6,47 трлн вон ($5,7 млрд), а чистая прибыль равнялась 4,69 трлн вон ($4,1 млрд). Несмотря на стабилизацию цен на микросхемы DRAM и на падение цен на NAND, за квартал выручка и операционная прибыль SK Hynix выросла соответственно на 10 % и на 16 %. Тем самым все три ключевых финансовых показателя компании снова достигли новых рекордов: и выручка, и операционная прибыль, и чистая прибыль.
Поставки памяти DRAM в пересчёте на ёмкость за квартал выросли на 5 %. За это компания благодарит сезонный эффект увеличения спроса на смартфоны, а также стабильно высокий спрос на память серверного назначения. Средняя цена продаж памяти DRAM, тем не менее, выросла всего на 1 %. Увеличение спроса на память, как признаются в SK Hynix, обещает удержать цены на память от резкого снижения как в этом году, так и в следующем.
Поставки памяти NAND за квартал в пересчёте на биты выросли на 19 %, а средняя цена продажи микросхем флеш-памяти уменьшилась на 10 %. Этот негативный для производителя эффект компания компенсировала как наращиванием выпуска более плотной NAND-флеш, так и расширением ассортимента фирменных SSD. В третьем квартале выручка от поставок SSD компании значительно превысила 20 % от выручки всего флеш-бизнеса SK Hynix. Также более 20 % от продаж SSD компания получила на направлении производства твердотельных накопителей корпоративного назначения.
Дальнейшее развитие производства DRAM и NAND компания видит в совершенствовании техпроцессов и в стабильном массовом производстве новинок. В частности, второе поколение техпроцесса класса 10 нм (1Ynm) для выпуска DRAM будет разработано до конца текущего года. До конца года также завершатся разработки 96-слойной 3D NAND.
Что касается заводов, то к концу года завершится ввод в эксплуатацию расширенной «чистой» комнаты на китайском заводе SK Hynix в городе Уси (Wuxi FAB). Массовое производство памяти DRAM на этом предприятии стартует в первой половине 2019 года. Завод M15 FAB в Южной Корее, формальный ввод в эксплуатацию которого состоялся ранее в этом месяце, начнёт поставлять продукцию в виде 3D NAND также в первой половине будущего года.
