Лучшая защита — это нападение. Компания Samsung Electronics, сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на южнокорейское издание Chosun Ilbo, намерена резко увеличить капитальные затраты на расширение выпуска энергонезависимой памяти типа 3D NAND (многослойной NAND-флеш). В свете аналогичных усилий, предпринимаемых конкурентами и, что более опасно — китайцами, наращивание объёмов выпуска 3D NAND может стать единственным правильным ответом Samsung на вызовы времени.
Завод Samsung в Пхёнтек (http://www.koreaherald.com)
В 2018 году, сообщают источники, компания Samsung потратила и потратит на развитие производства NAND-флеш около $6,4 млрд. В 2019 году на те же цели компания планирует потратить порядка $9 млрд. Означенные сумму будут направлены преимущественно на расширение производственных линий по выпуску 3D NAND на заводе в городе Пхёнтэк (Pyeongtaek), Южная Корея, и на заводе компании в городе Сиань (Xian), Китай. Запланированное расширение, считают местные источники, «зацементирует» лидирующую позицию Samsung на рынке NAND-флеш.
Как свидетельствуют независимые аналитические наблюдения, с начала текущего года цены на память типа NAND практически прекратили рост и даже начали снижаться, переломив длившуюся почти два года пагубную для потребителей NAND тенденцию к росту. В свете наращивания производства памяти компаниями Samsung, SK Hynix, Micron, Intel, Toshiba/Western Digital/SanDisk и даже подающими робкий голос китайцами из компании XMC/Yangtze River Storage Technology, контрактные цены на NAND во второй половине года обещают следовать «мягким» тенденциям и продолжить этот курс в 2019 году. Проще говоря, память NAND начнёт дешеветь.
90(+)-слойная 3D NAND производства Samsung
С точки зрения производителей, в удешевлении памяти NAND скрывается угроза. Очень скоро может наступить этап перепроизводства со всеми вытекающими неприятностями — это снижение цен и потеря выручки и прибыли. Очевидно, выстоит в этой ситуации тот, кто сможет выпускать больше и (или) дешевле. Компания Samsung делает ставку на больше, дешевле и… технологичнее.