Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) объявил о том, что им удалось создать транзистор с длиной затвора 22нм (для сравнения, 22нм транзисторы в процессорах Intel имеют длину затвора 26нм). Транзисторы используют металлический затвор и high-k подзатворный диэлектрик (необходимый чтобы уменьшать ток утечки за счет туннелирования электронов через сверх-тонкий слой подзатворного диэлектрика).
Транзисторы используют не «затвор с 3-х сторон» в стиле Intel, а более традиционные планарные gate-last транзисторы (когда затвор формируется в последнюю очередь).
КНР инициировала эти исследования в 2009-м году как один из главных национальных проектов. По словам IMECAS разработка 22-нм технологии интегральных микросхем в Китае позволит сэкономить огромные средства на импортируемых сейчас технологиях (или выторговать более выгодные цены).
Для понимания порядка цен — Ангстрему-Т 130нм технология обошлась в ~120 млн евро (2007-й год), 90нм Микрону — порядка 27 млн евро (2011-й год, по сообщениям в прессе). На более тонких нормах — стоимость растет экспоненциально. Возможно в будущем технологии придется покупать уже у Китая.
Расстояние между атомами кремния в кристаллической решетке в нормальных условиях — 0.543нм, и их тут хорошо видно (в нижней части снимка). IL — это интерфейсный слой SiO2 между кремнием и high-k диэлектриком HfO2 (напрямую он плохо ложиться).
Светлые линии под углом 45 градусов в кремнии — это искусственно созданный дефект в кристаллической решетке для сжатия кремния в канале транзистора (это нужно для увеличения его скорости работы), потому расстояние между атомами может немного отличаться от нормальных условий.
Автор: BarsMonster
