Компания Globalfoundries представила новый 28-нанометровый техпроцесс. Он построен на использовании технологии High-k Metal Gate (HKMG), основан на проверенном практикой 28-нанометровом техпроцессе, оптимизированном по критерию энергопотребления (Super Low Power, SLP), и позволяет интегрировать в однокристальные системы радиочастотные цепи. Кстати, производитель утверждает, что он первым среди контрактных изготовителей полупроводниковой продукции разработал 28-нанометровый техпроцесс, обеспечивающий такую интеграцию.
Тестирование в кремнии показало работоспособность цепей, изготавливаемых по новому техпроцессу, на частотах до 310 ГГц, а также низкий уровень теплового и фликкерного шума. По словам Globalfoundries, техпроцесс 28nm-SLP-RF предназначен для следующего поколения «подключенных устройств», от которых требуется низкое энергопотребление в режиме ожидания, длительный срок автономной работы и наличие встроенного беспроводного подключения.
Проектировщики смогут использовать модели транзисторов ядра и цепей ввода-вывода, рассчитанных на напряжение питания 1,5 и 1,8 В соответственно, а также приборы LDMOS, работающие при напряжении 5 В, что упрощает проектирование SoC. Конечно, 28nm-SLP-RF предлагает возможность формирования разнообразных пассивных элементов, включая конденсаторы APMOM (alternate polarity metal-oxide-metal), резисторы и индукторы. Новый техпроцесс совместим с существующими процедурами проектирования, библиотеками, компиляторами и сложными IP-ядрами. В сотрудничестве с разработчиками систем автоматизированного проектирования был подготовлен оптимизированный PDK (process design kit), поддерживающий высокоточные модели радиочастотных цепей. Как PDK, так и верификация для 28nm-SLP-RF уже доступны.
Источник: Globalfoundries
