Возможность выращивания тонких пленок полупроводника является основой современной электроники. Уменьшение толщины пленки до нескольких атомов открывает новые возможности, но оно недостижимо при использовании традиционной технологии и таких материалов как кремний. Идеальными материалами для сверхтонких пленок могли бы стать дихалькогениды переходных металлов (TMD), способные формировать слой толщиной три атома с высокой подвижностью носителей заряда. Однако такие пленки сложны в получении.
Ситуацию может переломить разработка ученых Корнельского университета, о которой рассказано в последнем номере журнала Nature. Исследователи предложили новый способ формирования пленок TMD, опробованный ими на примере дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама. Способ обеспечивает высокую однородность пленок в масштабе всей подложки, в роли которой выступает обычная 100-миллиметровая пластина с диэлектрическим покрытием из двуокиси кремния. Используя пластины с пленками TMD для изготовления полевых транзисторов, ученые получили процент выхода годных 99%. Кроме того, было опробовано изготовление многослойных цепей с транзисторами, расположенными друг над другом.
О сроках коммерциализации данных пока нет, но внедрение TMD считается перспективным направлением, которое позволило бы делать электронные приборы тонкими и гибкими, так что работа продолжается.
Источник: Nature
