Samsung Electronics ускоряет работу над производственным технологическим процессом по нормам 2 нм, о чем сообщает techpowerup со ссылкой на отраслевые источники.
Компания начала установку передового оборудования на заводе S3 в Хвасоне для создания производственной линии 2 нм. Эта линия должна производить 7000 пластин ежемесячно к первому кварталу следующего года.
Кроме того, Samsung планирует создать производственную линию 1,4 нм на своем заводе S5 в Пхёнтхэке ко второму кварталу следующего года. Эта линия должна производить 2000–3000 пластин ежемесячно. К концу следующего года Samsung переведет все оставшиеся производственные линии 3 нм на S3 на 2 нм.
Ранее сообщалось, что Samsung перенесла дату запуска своего завода в Тайлере, штат Техас. Завод, открытие которого запланировано на конец 2024 года, не запустят до 2026 года. Кроме того, Samsung изменила свои планы относительно линии Fab 4 в Пхёнтхэке. Там будет производиться DRAM, более того, на заводе Pyeongtaek Fab 3, где установлена линия 4 нм, Samsung сократила производство.
Эти изменения являются частью плана Samsung по производству 2-нм чипов в следующем году и 1,4 нм чипов к 2027 году. Компания хочет догнать своего конкурента TSMC. Прямо сейчас Samsung занимает 11,5% мирового рынка производства чипов во втором квартале, в то время как TSMC лидирует с 62,3%.
