Компания Samsung сообщила о начале массового производства оперативной памяти LPDDR4X объемом 12 ГБ. Вообще компания производила модули памяти аналогичного объема и до сегодняшнего дня (они, к примеру, используются в топовой версии Samsung Galaxy S10+), но сейчас речь идет о 10-нанометровой памяти LPDDR4X, в то время как до этого выпускалась память LPDDR4 по техпроцессу 20 нм.
Новый модуль DRAM состоит из шести 16-гигабитных чипов. Средняя скорость обмена данными составляет 4266 МБ/с — и в этом нет никаких отличий от LPDDR4. Но за счет более тонкого техпроцесса площадь готового модуля гораздо меньше, что в какой-то мере облегчает компоновку компонентов внутри корпуса смартфона.
Судя по всему, 12-гигабайтная память DRAM PDDR4X появится уже в следующих моделях Samsung флагманской серии Galaxy S. Вероятно, она будет использоваться в Galaxy S10 5G. Также этот смартфон может получить и память eUFS 3.0 объемом 512 ГБ, массовое производство которой началось в феврале.
