Компания Samsung Electronics представила на мероприятии Flash Memory Summit 2016 новейшие решения на базе флэш-памяти. В частности, показаны микросхемы флэш-памяти с объемной компоновкой V-NAND четвертого поколения и накопители большого объема.
Новая флэш-память V-NAND включает на 64 слоя — на 30% больше по сравнению с ее предшественницей. Каждая ячейка способна хранить три бита информации. Плотность кристалла составляет 512 Гбит, а поддерживаемая им скорость передачи данных достигает 800 Мбит/с. Эти параметры являются рекордными для отрасли. В серийных изделиях новая память начнет появляться уже в следующем квартале.
Первым примером использования новой памяти стал твердотельный накопитель типоразмера 2,5 дюйма объемом 32 ТБ с интерфейсом SAS. По данным Samsung, это самый емкий SSD в своей категории. В нем используется 512 новых микросхем V-NAND, которые сгруппированы по 16 штук в 32 корпусах. Серийный выпуск таких SSD планируется начать в 2017 году, а к 2020 году Samsung рассчитывает начать выпуск SSD объемом более 100 ТБ.
Завершает экспозицию Samsung однокорпусный SSD объемом 1 ТБ в корпусе типа BGA. Он включает кристаллы V-NAND, LPDDR4 DRAM и контроллера. Этот накопитель демонстрирует скорость чтения до 1500 МБ/с и скорость записи до 900 МБ/с.
Кроме того, производитель сообщил о создании твердотельных накопителей Z-SSD, которые характеризуются очень малыми задержками и высокой скоростью передачи данных, преодолевая ограничения современных моделей с интерфейсом NVMe. Эти накопители Samsung обещает представить в будущем году.
Источник: Samsung Electronics
