Добрый день!
Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.
В понедельник представители компании «Самсунг электроникс» заявили о начале производства трёхмерных вертикальных микросхем NAND. В чипах флэш-памяти нового типа благодаря структуре из слоёв кремния достигаются лучшие характеристики в сравнении с двумерными чипами; согласно заявлению корейской компании надёжность увеличится в 2—10 раз, а производительность процесса записи — в два раза. Таким образом «Самсунг» стала первой компанией в мире, запустившей массовое прозводство 3Д-чипов NAND-памяти.
Новая технология будет использоваться в широком круге задач, в том числе и для создания твёрдотельных накопителей объемом от 128 гигабайт до 1 терабайта. Продольная плотность записи новых микросхем составляет 128 бит, и они построены на основе технологии объемной памяти с ловушкой заряда (3D Charge Trap Flash). Обычная Charget Trap Flash впервые была представлена «Самсунгом» ещё в 2006 году.
Количество вертикальных слоёв микросхем достигает 24, но толщина их измеряется нанометрами, поэтому даже в микрометровом масштабе утолщение не будет заметно. Эксперты отмечают, что пределы количества слоёв пока неизвестны: сегодня это 24, в следующем поколении будет 32, а затем и это число увеличится.
Читать полностью »
Samsung Electronics объявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с использованием 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле этого года. Высокоразвитый чип позволит эффективно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвастаться высоким уровнем производительности — скорость передачи данных составляет 400 МБ/с, а также поддержкой интерфейса Toggle DDR 2.0.
Расчехлил недавно старенький MikroTik RB532. Настолько он старенький, что RouterOS на нём была версии аж 2.9. Ну и бес бы с ним, думаю, лишь бы работал.
Ан нет, не хочет, даже изменения не сохраняет. Через некоторое время я понял в чём дело: в /System/Resources доступный объём хранилища показывался равным нулю. То есть диск забит чем-то, что стандартными средствами не вычистить. В этой версии RouterOS нет никаких инструментов для очистки хранилища (раздел /Store появился только в 3.x). Вывод: или прошиваться, или...Читать полностью »
Крупный тайваньский производитель флэш-памяти Macronix разработал технологию для увеличения срока жизни микросхем флэш-памяти с нынешних 10000 циклов записи до как минимум 100 000 000 циклов записи. Инженеры Macronix говорят, что срок жизни может быть и больше, в районе 1 миллиарда циклов. Для проверки этого нужно несколько месяцев.
Способ продления жизни флэш-памяти — довольно тривиальный, он обсуждался раньше, но до сих пор никто не мог его нормально реализовать. Речь идёт о подогреве микросхем на несколько миллисекунд до температуры 800°С.
Читать полностью »
Samsung вновь несет высокие технологии в массы. Недавно из стана международного IT-гиганта пришла информация о начале производства встраиваемых чипов памяти eMMC (embedded Multimedia Memory Card) емкостью 16, 32 и 64 ГБ.
Компания продолжает активно наращивать производительность и «вместительность» своих eMMC NAND Flash чипов, чтобы соответствовать высоким требованиям современных смартфонов, планшетов и прочих мобильных устройств. В настоящее время на заводах Samsung стартовало массовое производство eMMC Pro Class 1500 NAND модулей.
