Магниторезистивная память (MRAM) — одно из самых «горячих» направлений исследований новых типов памяти. В перспективе она может превзойти все существующие виды памяти по всем характеристикам. Ячейки MRAM сравнимы по быстродействию с SRAM — памятью, которая используется в кэше процессора, по плотности ячеек — с DRAM. Память MRAM энергонезависима и она гораздо экономичнее и долговечнее флэш-памяти.
Читать полностью »
Метка «mram»
В UCLA создали новый тип магниторезистивной памяти
2012-12-24 в 13:10, admin, рубрики: mram, будущее здесь, Железо, метки: mramEverspin начала поставки STT-MRAM-памяти
2012-11-13 в 20:03, admin, рубрики: mram, nand flash, будущее здесь, Железо, метки: mram, nand flash 
Уже несколько лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, однако до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных экспериментов или, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, ситуация постепенно начинает меняться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, объявила о начале поставок 64-мегабитных модулей. Ранее максимальный объём выпускаемых ими чипов составлял лишь 16 мегабит, причём технология MRAM не позволяла существенно увеличивать плотность компоновки, поскольку это вызывает чрезмерное возрастание тока записи. В новых модулях используется технология переноса спинового момента (Spin-transfer torque), когда для смены ориентации поля в магнитном материале используется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это позволило обойти проблему увеличения плотности чипов.
Читать полностью »