Добрый день!
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в своей объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.
Добрый день!
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в своей объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.
Доброй пятницы!
На прошлой неделе Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти с объемной компоновкой 3D Vertical NAND (V-NAND), которая призвана сделать прорыв и обеспечить возможности для дальнейшего уменьшения NAND Flash. Новая 3D V-NAND флэш-память будет использоваться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных решений, в том числе, во встроенных NAND и SSD-накопителях.