На днях корпорация IBM представила интереснейший проект памяти с фазовым переходом (PCM, phase change memory). Проект получил название Theseus, а показан он был на конференции Non-Volatile Memory Workshop 2014 в Греции (все совпадения названий с античной мифологией считать совпадениями :)).
Так вот, суть проекта — фазовое изменение структуры вещества при воздействии на это вещество током. Вещество разбито на условные ячейки, и вещество в каждой ячейке может принимать либо аморфную форму, либо кристаллическую. При этом аморфное состояние считаем за 0, кристаллическое (токопроводящее) — за единицу.
Считывание состояния вещества в ячейке происходит благодаря использованию сверхмалых токов, которые не оказывают воздействие на состояние вещества в ячейке. Изменение состояния вещества не однократное, само собой, разработчики указывают, что условное количество циклов записи на такой носитель достигает миллиона.
