Samsung Electronics объявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с использованием 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле этого года. Высокоразвитый чип позволит эффективно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвастаться высоким уровнем производительности — скорость передачи данных составляет 400 МБ/с, а также поддержкой интерфейса Toggle DDR 2.0.
Рубрика «toggle ddr 2.0»
Коротко о новом: Samsung запускает производство 3-битной MLC NAND памяти емкостью 128 Гбит на основе 10-нм техпроцесса
2013-04-12 в 9:33, admin, рубрики: flash, mlc, nand, samsung electronics, ssd, toggle ddr 2.0, Блог компании Samsung, Гаджеты. Устройства для гиков, Железо, метки: flash, mlc, nand, Samsung, samsung electronics, ssd, toggle ddr 2.0
Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство EMMC карты памяти объемом 128 ГБ
2012-10-05 в 15:15, admin, рубрики: emmc pro class 1500, jedec emmc v4.5, nand flash, Samsung, samsung electronics, toggle ddr 2.0, Блог компании Samsung, Железо, метки: emmc pro class 1500, jedec emmc v4.5, nand flash, Samsung, samsung electronics, toggle ddr 2.018 сентября в рамках форума Samsung Mobile Solutions компания объявила о запуске в массовое производство новых 128-гигабайтных встроенных мультимедиа карт EMMC Pro Class 1500. Они были разработаны еще в августе 2011 года, спустя месяц после начала поставок EMMC Pro объемом 16, 32 и 64 ГБ, что позволило тогда быстро наполнить рынок мобильных устройств широкой линейкой компактных карт памяти.
Благодаря новым EMMC, мобильные телефоны и планшетные ПК смогут хранить до 15 Full HD видеофайлов, каждый из которых весит, в среднем, по 8 ГБ. Кроме того, новые чипы EMMC вписываются в очень тонкий (12x16 мм) корпус FBGA, что очень актуально для современных мобильных конструкций — более тонких и изящных. Также новая EMMC обеспечивает самые высокие на сегодняшний день показатели по плотности и уровню производительности встраиваемых чипов памяти.
