Мы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о AsН3 чистотой шесть девяток. Арси́н — химическое соединение мышьяка и водорода, является аналогом аммиака NH3, фосфина PH3 и стибина H3Sb.
Рубрика «полупроводники»
Арсин для полупроводников и не только: патентный анализ
2024-12-18 в 13:11, admin, рубрики: арсин, полупроводники, химияОрганические полупроводники для дисплеев и не только: краткий патентный анализ
2024-11-13 в 13:48, admin, рубрики: патенты, полупроводники, химияУ многих на слуху неорганические полупроводники: кремний, германий и прочие, о которых мы писали или упоминали во многих наших статьях на Хабре.
Органические полупроводникиЧитать полностью »
Хлористый водород для полупроводников: краткий патентный анализ
2024-11-06 в 11:10, admin, рубрики: патенты, полупроводники, химия, хлористый водородБром для полупроводников: краткий патентный анализ
2024-10-16 в 11:35, admin, рубрики: полупроводники, химия, хромМы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о броме.
Где применяется?
Оксид диазота для полупроводников: патентный анализ
2024-10-09 в 13:20, admin, рубрики: история, наука, патенты, полупроводники, химияМы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет об оксиде азоте, N2O, коммерческое и бытовое название закись азота, в электронике часто называют оксид диазота. Также это вещество известно как веселящий газ.
Где используется N2O?
Индия выходит на рынок полупроводников: когда ожидать мощные индийские чипы?
2024-10-04 в 9:47, admin, рубрики: selectel, Индия, полупроводники, производство электроники, электроникаВ последние годы глобальная электронная отрасль пережила не один кризис, что повлияло на различные индустрии, от автомобилестроения до производства электроники. Индия, похоже, решила разрубить этот гордиев узел для себя. Руководство страны заявило о намерении создать независимую и мощную полупроводниковую индустрию.
В 2024 году страна запустила масштабную программу по развитию производства микросхем. Первые заводы запустят к 2027 году. В условиях сильной конкуренции с уже устоявшимися мировыми лидерами, такими как Тайвань, Южная Корея и США, Индия надеется стать важным игроком на глобальной арене. Подробности — под катом. Читать полностью »
Трифторид бора для полупроводников: патентный анализ
2024-09-25 в 11:40, admin, рубрики: история, патентование, полупроводники, трифторид бора, химияМы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о BF3 чистотой 5 и 6 «девяток».
Где используется трифторид бора?
Аммиак для полупроводников: патентный анализ
2024-09-18 в 11:54, admin, рубрики: аммиак, патенты, полупроводники, химияПочему нитрид бора называют «белым графеном»
2024-08-31 в 20:11, admin, рубрики: бор, графен, кристаллы, новые материалы, полупроводники, электроникаВ 1911 году Хейке Камерлинг-Оннес впервые наблюдал сверхпроводимость в образце ртути, охлаждённом до температуры жидкого гелия (3K). При такой температуре ртуть практически теряет электрическое сопротивление. Вслед за этим открытием развилась целая индустрия поиска высокотемпературных сверхпроводников – веществ, которые проявляли бы подобные свойства при значениях выше 77,35 K (-196°C) – такова температура жидкого азота, а жидкий азот можно получать в промышленных масштабах.
Эффект Ганна
2024-03-08 в 9:00, admin, рубрики: ruvds_статьи, арсенид галлия, полупроводники, ток, эффект ганнаСреди физических эффектов особняком стоит один весьма интересный феномен, который получил название эффекта Ганна, по имени английского физика Джона Ганна, открывшего его в 1963 году…
Суть его заключается в том, что если к однородному образцу из специального материала с имеющимися электрическими контактами приложить электрическое поле, величина которого превышает некоторое пороговое значение (эффект наблюдался первооткрывателем на кристаллах арсенида галлия и фосфида индия; для первого напряжённость электрического поля должна составлять 3 кВ/см, а для второго — 6 кВ/см), то во внешней электрической цепи начинают наблюдаться колебания тока. Причём было обнаружено, что период этих колебаний примерно равен времени полёта электронов от катода к аноду, а частота колебаний была достаточно большой и находилась в области СВЧ-диапазона: , где: — длина экземпляра; — скорость дрейфа электронов.Читать полностью »