Рубрика «полупроводники»

Арсин для полупроводников и не только: патентный анализ - 1

Мы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о AsН3 чистотой шесть девяток. Арси́н — химическое соединение мышьяка и водорода, является аналогом аммиака NH3, фосфина PH3 и стибина H3Sb.

Где используется арсин?

Читать полностью »

Органические полупроводники для дисплеев и не только: краткий патентный анализ - 1

У многих на слуху неорганические полупроводники: кремний, германий и прочие, о которых мы писали или упоминали во многих наших статьях на Хабре.

Органические полупроводникиЧитать полностью »

Бром для полупроводников: краткий патентный анализ - 1

Мы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о броме.

Где применяется?

Читать полностью »

Оксид диазота для полупроводников: патентный анализ - 1

Мы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет об оксиде азоте, N2O, коммерческое и бытовое название закись азота, в электронике часто называют оксид диазота. Также это вещество известно как веселящий газ.

Где используется N2O?

Читать полностью »

Индия выходит на рынок полупроводников: когда ожидать мощные индийские чипы? - 1

В последние годы глобальная электронная отрасль пережила не один кризис, что повлияло на различные индустрии, от автомобилестроения до производства электроники. Индия, похоже, решила разрубить этот гордиев узел для себя. Руководство страны заявило о намерении создать независимую и мощную полупроводниковую индустрию.

В 2024 году страна запустила масштабную программу по развитию производства микросхем. Первые заводы запустят к 2027 году. В условиях сильной конкуренции с уже устоявшимися мировыми лидерами, такими как Тайвань, Южная Корея и США, Индия надеется стать важным игроком на глобальной арене. Подробности — под катом. Читать полностью »

Трифторид бора для полупроводников: патентный анализ - 1

Мы продолжаем рассказывать о различных химических веществах, их применении в электронике и, разумеется, патентом аспекте. На этот раз речь пойдет о BF3 чистотой 5 и 6 «девяток». 

Где используется трифторид бора?

Читать полностью »

В 1911 году Хейке Камерлинг-Оннес впервые наблюдал сверхпроводимость в образце ртути, охлаждённом до температуры жидкого гелия (3K). При такой температуре ртуть практически теряет электрическое сопротивление. Вслед за этим открытием развилась целая индустрия поиска высокотемпературных сверхпроводников – веществ, которые проявляли бы подобные свойства при значениях выше 77,35 K (-196°C) – такова температура жидкого азота, а жидкий азот можно получать в промышленных масштабах.

Читать полностью »

Эффект Ганна - 1

Картинка Benzoix, Freepik

Среди физических эффектов особняком стоит один весьма интересный феномен, который получил название эффекта Ганна, по имени английского физика Джона Ганна, открывшего его в 1963 году…

Суть его заключается в том, что если к однородному образцу из специального материала с имеющимися электрическими контактами приложить электрическое поле, величина которого превышает некоторое пороговое значение (эффект наблюдался первооткрывателем на кристаллах арсенида галлия и фосфида индия; для первого напряжённость электрического поля должна составлять 3 кВ/см, а для второго — 6 кВ/см), то во внешней электрической цепи начинают наблюдаться колебания тока. Причём было обнаружено, что период этих колебаний примерно равен времени полёта электронов от катода к аноду, а частота колебаний была достаточно большой и находилась в области СВЧ-диапазона: $Т_{0}approx L/u_{g}$, где: $L$ — длина экземпляра; $u_{g}$ — скорость дрейфа электронов.Читать полностью »


https://ajax.googleapis.com/ajax/libs/jquery/3.4.1/jquery.min.js