Специалисты нашей компании на ежегодном тематическом форуме IEEE International Memory Workshop в Париже представили рабочий прототип памяти на основе фазового перехода (Phase-change memory, PCM). В каждой ячейке памяти хранится по три бита данных. Тестовый образец создан по 90-нм КМОП техпроцессу и представлен в виде массива ёмкостью 32 Мбит.
По мнению разработчиков, такая память очень перспективна, поскольку она способна выдержать несколько миллионов циклов записи. В то же время обычная flash-память — не более 3000 циклов перезаписи. Скорость работы РСМ памяти примерно равна скорости работы оперативной памяти. Если разработку удастся запустить в массовое производство, это позволит получить универсальную память, причем уже в недалеком будущем. Ну а сейчас компания планирует использовать PCM чипы для SSD, а также в виде буферной памяти для SSD с NAND-флэш в качестве основы.
Читать полностью »