Созданный специалистами Toshiba прототип элемент памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), по словам разработчика, имеет рекордно низкое энергопотребление. Вкупе с другими достоинствами, это позволяет рассматривать STT-MRAM в качестве потенциальной замены памяти типа SRAM в кэш-памяти процессоров.
Пока SRAM не имеет альтернатив в этой области, но по мере роста требований к производительности растет и ее энергопотребление — как в режиме ожидания, так и активном режиме.
Читать полностью »