Так как твердотельные накопители, основанные на технологии флэш-памяти, становятся основным средством постоянного хранения информации в дата-центрах, важно осознавать, насколько они надежны. На сегодня проведено большое количество лабораторных исследований чипов флэш-памяти с использованием синтетических тестов, однако не хватает информации об их поведении в полевых условиях. Данная статья посвящена результатам широкомасштабного полевого исследования, охватывающего миллионы дней использования жестких приводов, 10 различных моделей твердотельных накопителей, различные технологии флэш-памяти (MLC, eMLC, SLC) и более 6 лет рабочей эксплуатации в дата-центрах Google.
Мы изучили широкий спектр характеристик надежности этих устройств и пришли к ряду неожиданных выводов. Например, при износе накопителя коэффициент битовых ошибок (Raw Bit Error Rate, RBER) растет гораздо более медленными темпами, чем предполагает экспоненциальный показатель, и, что еще важнее, он не позволяет прогнозировать возникновение неисправляемых ошибок или других видов ошибок. Читать полностью »
