Когда я писал в начале года статью “Кто есть кто в мировой микроэлектронике”, меня удивило, что в десятке самых больших полупроводниковых компаний пять занимаются производством памяти, в том числе две – только производством памяти. Общий объем мирового рынка полупроводниковой памяти оценивается в 110 миллиардов долларов и является постоянной головной болью участников и инвесторов, потому что, несмотря на долгосрочный рост вместе со всей индустрией микроэлектроники, локально рынок памяти очень сильно лихорадит – 130 миллиардов в 2017 году, 163 в 2018, 110 в 2019 и 110 же ожидается по итогам 2020 года.
Рубрика «mram»
Вспомнить всё. Разбираемся в полупроводниковой памяти
2020-12-29 в 15:03, admin, рубрики: dram, eeprom, FRAM, mram, PCM, sram, ssd, Накопители, Научно-популярное, память, Производство и разработка электроники, хранилища данных, Электроника для начинающихНа заре компьютерной памяти
2019-09-25 в 16:48, admin, рубрики: dram, mram, sram, древность, история вычислительной техники, компьютерная память, старое железоВ статье есть тяжелые фото, так что убрал под спойлеры.
Введение
Проблема запоминания цифровой информации возникла раньше, чем появились собственно компьютеры. Перед тем, как говорить, о конкретных физических реализациях, введем терминологию.
Память — физическое устройство или среда хранения данных. В простейшем случае память — массив нумерованных ячеек, содержащих «1» или «0». Записанные в тетрадке нули и единицы мы памятью считать не будем, так как невозможно (или строго говоря возможно но бессмысленно) автоматическое считывание такой памяти.
С точки зрения организации доступа к данным память можно разделить на следующие несколько типов:
- RAM – Random Access Memory, память со произвольным доступом. Можно прочитать или изменить любую ячейку.
- ROM – Read-Only Memory, память, из которой можно прочитать любую ячейку но нельзя записать (Постоянное запоминающее устройство, ПЗУ).
- FIFO – First In, First Out, память, в которую можно записать только сверху, а прочитать только снизу (в русских словах очередь).
- Stack(LIFO) – Last In, First Out, Access память, доступ в которой на чтение и запись возможен только к верхнему элементу (мне очень нравится её советское название, магазин).
- CAM — Content-addressable memory, память, адресуемая по содержимому (русское название — ассоциативная память).
Узоры на ткани
Впервые задача хранения и считывания данных из памяти была поставлена, а затем успешно решена для управления нитями в ткацком станке.
Читать полностью »
Intel готова начать производство памяти MRAM
2019-03-21 в 7:24, admin, рубрики: mram, Блог компании Intel, Интернет вещей, Компьютерное железо
Итак, принципиально новый вид компьютерной памяти, называемый преемником как DRAM, так и NAND и продемонстрированный в конце прошлого года компаниями Samsung и Intel, начинает обретать вид реального продукта. По крайней мере, в этом направлении сделан еще один шаг: по заявлению компании Intel, она в ближайшее время готова начать производство MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) в промышленных масштабах.
Читать полностью »
Об Intel Optane и прочих вариантах хранения информации
2017-11-25 в 18:47, admin, рубрики: 3D XPoint, C-RAM, Chalcogenide RAM, Grandis, intel, MELRAM, mram, Ovonic Unified Memory, PCM, PCRAM, ReRAM, RRAM, Samsung, STTRAM, магниторезистивная память, МФТИ, Накопители, память, Производство и разработка электроники, Спинтроника, энергонезависимая паятьЗаинтересовала меня статья aisergeev об Intel с их технологией 3D XPoint. В статье указано, что это технология хранения информации не боящаяся утечки электронов, что в общем-то принято называть энергонезависимой памятью. Замечательно что подобные технологии приходят в нашу жизнь. На данный момент среди твердотельных энергонезависимых устройств хранения информации, наиболее широко распространены usb flash и ssd. Но, у них есть минусы в виде этой самой утечки электронов, что в свою очередь накладывает ограничения на срок хранения информации. Очевидно что Intel выпустил принципиально иной тип памяти, раз уж запись в нём не зависит от утечки электронов.
Очень меня заинтересовала как именно Intel создали свою память. Я поискал в сети и хочу поделиться с вами возможными вариантами этой технологии.
Читать полностью »
Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления
2016-10-19 в 14:40, admin, рубрики: mram, NVRAM, ram, Железо, Настольные компьютеры, Ноутбуки, облачные сервисы, память
Ранний Micron DRAM, ёмкость 1 Мбит
RAM (random access memory, запоминающее устройство с произвольным доступом) присутствует в любой компьютерной системе, от небольших встроенных контроллеров до промышленных серверов. Данные хранятся в SRAM (статической RAM) или DRAM (динамической RAM), пока процессор работает с ними. С падением цен на RAM модель перемещения данных между RAM и постоянным местом хранения данных может исчезнуть.
RAM сильно подвержена влиянию колебаний рынка, но в долгосрочной перспективе её стоимость идёт вниз. В 2000 году гигабайт памяти стоил более $1000, а сейчас – всего $5. Это позволяет вообразить совершенно другую архитектуру системы.
Базы данных обычно хранятся на дисках, откуда нужная информация считывается при необходимости в память, после чего обрабатывается. Обычно считается, что объём памяти в системе на несколько порядков меньше объёма дисков – например, гигабайты против терабайтов. Но с увеличением объёмов памяти становится эффективнее загружать больше данных в память, уменьшая количество чтений и записей. С уменьшением стоимости RAM становится возможным загружать базы данных в память целиком, проводить операции над ними и записывать их обратно. Сейчас мы уже подошли к точке, в которой некоторые базы не записываются обратно на диск, и постоянно висят в памяти.
Читать полностью »
IBM и Samsung разработали 11-нм память STTMRAM
2016-08-05 в 10:43, admin, рубрики: IBM, mram, Samsung, Блог компании IBM, Железо, Накопители, Научно-популярное, память
В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения спина электроном. Такой тип памяти получил название STTMRAM (spin-transfertorqueMRAM).
Вместе с IBM над этим проектом работало много партнеров. Первым была компания Motorola. Затем — компании Infineon, TDK, Micron и другие. Благодаря участию специалистов из этих компаний проект удалось превратить из чисто теоретической концепции в реальную технологию. В течение нескольких лет ряд технических проблем мешал масштабировать память до высокой плотности. Но эту проблему все же удалось решить. И сейчас мы вместе с компанией Samsung подошли к завершающему этапу. Можно сказать, что разработка уже близка к коммерческому запуску. Сейчас основная задача решена, специалисты оптимизируют основную технологию и вспомогательные инструменты. Главным достижением работы с Samsung стал перевод структуры ячейки из горизонтальной в вертикальную.
Читать полностью »
В UCLA создали новый тип магниторезистивной памяти
2012-12-24 в 13:10, admin, рубрики: mram, будущее здесь, Железо, метки: mram 
Магниторезистивная память (MRAM) — одно из самых «горячих» направлений исследований новых типов памяти. В перспективе она может превзойти все существующие виды памяти по всем характеристикам. Ячейки MRAM сравнимы по быстродействию с SRAM — памятью, которая используется в кэше процессора, по плотности ячеек — с DRAM. Память MRAM энергонезависима и она гораздо экономичнее и долговечнее флэш-памяти.
Читать полностью »
Everspin начала поставки STT-MRAM-памяти
2012-11-13 в 20:03, admin, рубрики: mram, nand flash, будущее здесь, Железо, метки: mram, nand flash 
Уже несколько лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, однако до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных экспериментов или, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, ситуация постепенно начинает меняться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, объявила о начале поставок 64-мегабитных модулей. Ранее максимальный объём выпускаемых ими чипов составлял лишь 16 мегабит, причём технология MRAM не позволяла существенно увеличивать плотность компоновки, поскольку это вызывает чрезмерное возрастание тока записи. В новых модулях используется технология переноса спинового момента (Spin-transfer torque), когда для смены ориентации поля в магнитном материале используется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это позволило обойти проблему увеличения плотности чипов.
Читать полностью »