Intel и Micron Technology официально представили новую технологию энергонезависимой памяти 3D XPoint, которая совершит переворот на рынке вычислительных устройств. 3D XPoint способна увеличить (до 1300 раз) скорость работы устройств различного типа, приложений и сервисов, которым необходим быстрый доступ к большим объемам данным. Впервые за 26 лет память 3D XPoint позволяет создать принципиально новую категорию устройств для хранения данных, сменив технологию NAND.
Читать полностью »
The Wall Street Journal со ссылкой на собственные источники сообщает, что китайская государственная компания Tsinghua Unigroup подготовила предложение о выкупе легендарного американского производителя полупроводников Micron Technology. Издание добавляет, что китайская сторона готова заплатить $21 на акцию, что почти на 20% выше стоимости ценных бумаг компании по состоянию на закрытие торгов в понедельник.
Сумма возможной сделки составляет $23 млрд, что может поставить сделку на первое место в мире, исторически.
Читать полностью »
В обычной NAND-памяти электрические элементы объединены в пределах плоскостных структур, и слои между собой не связаны. В августе прошлого года Samsung начала производить 3D-чипы, состоящие из вертикально сложенных 24 слоёв ячеек. Продолжительное время только корейская компания выпускала V-NAND, но 20 ноября этого года в видеопрезентации для инвесторов Intel раскрыла планы ответного решения.
Intel собирается умещать 256 гигабит (32 гигабайт) на одной микросхеме NAND-памяти из 32 слоёв по технологии MLC (multi-level cell), при использовании которой в каждой ячейке сохраняется по два бита, что требует калибровки четырёх состояний. При использовании TLC (triple-level cell, восемь состояний) этот объём возрастёт в полтора раза до 384 гигабит (48 гигабайт).
Читать полностью »
