История с поломками джойстиков Sony DualSense из-за «дрифта» стиков стала массовой сразу после его появления в 2020 г. Многие владельцы жаловались на неисправность менее чем через полмесяца после покупки консоли. На Хабре в новостях об этом писал @maybe_elf
Рубрика «hall»
Конструкция стика DualSense, запчасти и ремонт «дрифта»
2025-03-15 в 10:50, admin, рубрики: dualsense, dualshock, hall, PlayStation, ps5, tmr, джойстик, джойстики, контроллер, потенциометрРаскрывая 140-летний секрет в физике
2019-10-11 в 6:35, admin, рубрики: breakthrough, Carrier-resolved photo-Hall effect, duke, experiment, hall, IBM, korea, method, microelectronics, nature, physics, research, semicunductors, Блог компании IBM, Исследования и прогнозы в IT, Научно-популярное, Производство и разработка электроники, физикаПеревод статьи авторов из IBM Research.
Важный прорыв в физике позволит изучить физические характеристики полупроводников в гораздо больших подробностях. Возможно, это поможет ускорить развитие полупроводниковой технологии следующего поколения.
Авторы:
Oki Gunawan — Staff Member, IBM Research
Doug Bishop — Characterization Engineer, IBM Research
Полупроводники являются основными строительными блоками сегодняшнего цифрового, электронного века, обеспечивая для нас многообразие устройств, приносящих пользу в нашу современную жизнь, таких как компьютер, смартфоны и иные мобильные устройства. Улучшения в функциональности и производительности полупроводников позволяют также обеспечивать применения следующего поколения полупроводников для вычислений, распознаваний и преобразований энергии. Исследователи уже долго борются над преодолением ограничений нашей способности полностью понять электронные заряды внутри полупроводниковых устройств и продвинутых полупроводниковых материалов, сдерживающих нашу возможность далее двигаться вперёд.
В новом исследовании в журнале Nature научно-исследовательское соавторство, возглавляемое IBM Research, описывает захватывающий прорыв в раскрытии 140-летней тайны в физике, той, которая позволит нам изучить физические характеристики полупроводников в гораздо больших подробностях и обеспечить развитие новых улучшенных полупроводниковых материалов.