Опубликована статья Yoongu Kim & others. Flipping Bits in Memory Without Accessing Them: An Experimental Study of DRAM Disturbance Errors, описывающая способ изменения содержимого DRAM памяти, не требующий доступа по этому адресу. Фактически это означает нарушение изоляции памяти между процессами или виртуальными машинами. Из проверенных 129 модулей памяти, 110 оказались подвержены уязвимости, в том числе, все модули, выпущенные после 2012 года.
Рубрика «dram» - 3
«Железная» уязвимость в DRAM позволяет изменить содержимое чужой памяти
2014-12-02 в 5:52, admin, рубрики: dram, информационная безопасность, память, уязвимостьSamsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV
2014-08-28 в 12:57, admin, рубрики: 3d tsv, 3D V-NAND, ddr4, dram, rdimm, Samsung, Блог компании Samsung, ЖелезоДобрый вечер!
Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.
Коротко о новом: Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 плотностью 4 Гбит
2014-03-14 в 9:15, admin, рубрики: ddr3, dram, nand, Samsung, Блог компании Samsung, Железо, метки: ddr3, dram, nand, SamsungДобрый день!
Вчера Samsung объявила о старте массового производства 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Выпуск этой DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти.
Эволюция памяти – от каменной до электронной
2014-01-30 в 5:00, admin, рубрики: dram, EPROM, SDRAM, ufs, Блог компании Intel, Железо, История ИТ, память, триггерТема хранения информации была актуальна во все времена — начиная с рассвета человеческой цивилизации и по сей день. Свой авторский взгляд на историю средств хранения предлагает Джереми Кук, публикующий свои статьи на сайте EETimes.
В продолжение темы об эволюции цифровой памяти я подготовил что-то вроде слайд-шоу, иллюстрирующего этот прогресс. Полный обзор истории памяти – занятие слишком утомительное, поэтому я выбрал список того, что считаю в ней основным. Приглашаю всех высказывать свое мнение о подборке в комментариях.
Письменность
Источник: Университет Чикаго
Еще не электронная и даже не механическая, письменность сама по себе была невероятным открытием. Она позволила не только общаться людям, находящимся в разных местах, но и передавать знания из поколения в поколение. Согласно исследованиям университета Чикаго, письменность появилась около 3500 до н.э. и это событие стало «началом информационной революции». По-моему, лучше и не скажешь.
Читать полностью »
Коротко о новом: Samsung разработала первый в мире 8-гигабитный модуль мобильной DRAM-памяти LPDDR4
2013-12-31 в 9:51, admin, рубрики: ddr3, dram, lpddr3, Samsung, Блог компании Samsung, Железо, метки: ddr3, dram, lpddr3, SamsungДобрый день!
Samsung Electronics объявила о своих успехах в разработке первого промышленного энергоэффективного 8-гигабитного модуля мобильной DRAM-памяти, соответствующего стандарту LPDDR4.
Новая память производится на базе тех. процесса 20-нм класса и несет по одному гигабайту на кристалле, что является самым высоким показателем плотности для DRAM-компонентов на сегодняшнем рынке.
Коротко о новом: Samsung объявила о начале серийного производства новой 4-гигабитной памяти DDR4
2013-09-19 в 10:05, admin, рубрики: ddr3, ddr4, dram, samsung electronics, Блог компании Samsung, метки: ddr3, ddr4, dram, Samsung, samsung electronicsSamsung Electronics объявила о начале серийного производства новой памяти DDR4, которая предназначена для корпоративных серверов, работающих в составе передовых центров обработки данных.
Использование высокоскоростных чипов памяти DRAM в работе корпоративных серверов следующего поколения значительно повышает производительность системы и снижает уровень энергопотребления. Применяя технологии модулей памяти DDR4 на раннем этапе, ОЕМ-производители могут свести к минимуму эксплуатационные расходы и значительно увеличить производительность, обеспечив, таким образом, более быстрый возврат инвестиций.
Коротко о новом: Samsung запускает в массовое производство первые модули памяти LPDDR3 объемом 3 ГБ
2013-07-31 в 10:17, admin, рубрики: dram, lpddr3, Samsung, Блог компании Samsung, метки: dram, lpddr3, SamsungДобрый день!
Samsung поставила на поток производство модулей памяти LPDDR3 для мобильных устройств, которые обладают самым большим объемом (3 ГБ) среди конкурентов на рынке. Это стало известно на прошлой неделе: компания вновь оказалась «впереди планеты всей» в техническом и технологическом плане. В серийную штамповку ушли первые в индустрии трехгигабайтные образцы маломощной мобильной DRAM-памяти третьего поколения с удвоенной скоростью передачи данных. До настоящего времени самые современные смартфоны и планшеты базировались на 2 ГБ модулях… что ж, настало время для очередного рывка и смены стандартов.
Изобретатель памяти DRAM получил премию Киото
2013-06-25 в 14:32, admin, рубрики: dram, IBM, Блог компании IBM, История ИТ, метки: dram, IBMDRAM Errors или не спешите винить Software
2013-03-14 в 10:34, admin, рубрики: dram, errors, Блог компании Intel, Железо, Процессоры, метки: dram, errors
Когда компьютер зависает или выдает пресловутый BSOD, как правило, во всем винят программное обеспечение (а также: кривые драйвера и руки недоучившихся программистов, Microsoft и лично Билла Гейтса и т.д.). Но в последние несколько лет ученые начали более пристально присматриваться к аппаратным сбоям, и обнаружили другой серьезный тип проблем, которые проявляются гораздо чаще, чем многие думают. О них и пойдет речь.
Читать полностью »
Статистика отказов в серверной памяти
2013-03-06 в 7:39, admin, рубрики: dram, Железо, память, сервер, Серверное администрирование, метки: dram, память, сервер
В 2009 году, на ежегодной научной конференции SIGMETRICS, группа исследователей, работавших в Университете Торонто с данными, собранными и предоставленными для изучения компанией Google, опубликовала крайне интересный документ "DRAM Errors in the Wild: A Large-Scale Field Study" посвященный статистике отказов в серверной оперативной памяти (DRAM). Хотя подобные исследования и проводились ранее (например исследование 2007 года, наблюдавшее парк в 300 компьютеров), это было первое исследование, охватившее такой значительный парк серверов, исчисляемый тысячами единиц, на протяжении свыше двух лет, и давшее столь всеобъемлющие статистические сведения.
Отмечу также, что та же группа исследователей, во главе с аспирантом, а ныне профессором Университета Торонто, Бианкой Шрёдер (Bianca Shroeder) ранее, в 2007 году публиковала не менее интересное исследование, посвященное статистике отказов жестких дисков в датацентрах Google (краткую популярную выжимку из работы Failure Trends in a Large Disk Drive Population (pdf 242 KB), если вам скучно читать весь отчет, можно найти здесь: http://blog.aboutnetapp.ru/archives/tag/google). Кроме того, их перу принадлежит еще несколько работ, в частности об влиянии температуры и охлаждении, и о статистике отказов в оперативной памяти, вызываемой, предположительно, космическими лучами высоких энергий. Ссылки на публикации можно найти на домашней странице Шрёдер, на сервере университета.
Читать полностью »