Независимо от производителя или типа ОЗУ, почти вся компьютерная память содержит те или иные микродефекты. Изготовитель памяти может потратить от 10 до 15% стоимости модуля памяти DIMM на обширное тестирование на наличие ошибок, но память все равно может быть подвержена сбоям и отказам во время эксплуатации системы. Самые разнообразные факторы – от избыточного нагрева до «старения» и наличия в ней микродефектов — могут привести к ошибкам памяти.
Рубрика «dram» - 2
Технология Dell Reliable Memory Technology PRO: обнаружение и изоляция ошибок памяти
2017-11-22 в 13:18, admin, рубрики: dell, dell rmt pro, dimm, dram, ram, Блог компании Dell, Железо, Настольные компьютеры, обработка ошибок, ОЗУ, оперативная память, память
HyperX на Игромире-2017: часть 1 — SSD и DRAM
2017-10-05 в 15:31, admin, рубрики: ddr4, dram, hyperx, Kingston, NVMe, SATA, ssd, Блог компании Kingston Technology, Железо, Игромир 2017, игры, НакопителиПривет, GT! Этот год стал настоящим подарком для любителей железа: тут и возобновившаяся конкуренция гигандов индустрии, и новые стандарты, и пересмотр продуктовых линеек в одном флаконе. Мы тоже в стороне не остались и достойно отметили 30-летний юбилей Kingston и (15-летний для HyperX) на Игромире: представили компактную версию нашей клавиатуры, немного рассказали про новую гарнитуру и планируемые изменения на рынке оперативной памяти и накопителей. Давайте обо всём по порядку.
Стоимость ноутбуков и ПК продолжит рост
2017-02-17 в 10:00, admin, рубрики: dell, dram, Lenovo, ssd, Железо, компьютеры, Настольные компьютеры, Ноутбуки, ПК, рост цен, смартфоны, финансы
Стоимость персональных компьютеров растёт из-за нехватки различных комплектующих. Печально, но в ближайшем будущем ситуация не изменится к лучшему, прогнозирует Lenovo. Поэтому цены на персональные компьютеры, ноутбуки и другую компьютерную технику в ближайшие кварталы будут расти.
В данный момент производители испытывают нехватку следующих компонентов:
- DRAM;
- SSD;
- элементы питания;
- ЖК-панели.
DRAMA: Новая атака позволяет скрытно похищать данные из изолированных виртуальных машин
2016-11-09 в 21:02, admin, рубрики: dram, Блог компании Positive Technologies, взломы, виртуализация, информационная безопасность
На проходившей с 1 по 4 ноября в Лондоне конференции Black Hat Europe австрийские исследователи представили новую атаку, использующую особенности реализации взаимодействия CPU с DRAM. Метод позволяет злоумышленникам с помощью JavaScript красть чувствительную информацию прямо из виртуальных машин. Атака получила название DRAMA.Читать полностью »
Технология FRAM
2016-02-10 в 10:09, admin, рубрики: dram, flash, FRAM, sram, микроконтроллеры, память, Производство и разработка электроники, схемотехника, Электроника для начинающих, метки: FRAMПамять в современных микроконтроллерах принято разделять по признаку зависимости от энергоснабжения. К энергозависимой памяти относятся технологии DRAM и SRAM, к энергонезависимой — EEPROM/Flash Это разделение существует за счет того, что DRAM/SRAM обладают гораздо лучшим быстродействием по сравнению с энергонезависимой памятью. Но что было бы, если бы существовала энергонезависимая память, не уступающая энергозависимой памяти по скорости чтения/записи и энергопотреблению? Оказывается, такие технологии существуют. Одним из представителей этого класса памяти является технология FRAM или FeRAM. За подробностями прошу под кат.Читать полностью »
[Аналитика] Положение дел на рынке оперативной памяти в 2014 году
2015-07-09 в 14:11, admin, рубрики: dram, Kingston, Блог компании Kingston Technology, Железо, Настольные компьютеры, памятьИзвестный и авторитетный ресурс DRAMeXchange опубликовал финансовые итоги 2014 года для производителей оперативной памяти. Статистика предоставлена в общемировом масштабе. Приятно наблюдать за тем фактом, что как доля продаж Kingston как в процентном выражении, так и в абсолютном исчислении, заметно подросла. Под катом информация о положении дел в мире оперативной памяти и рейтинг производителей.
![[Аналитика] Положение дел на рынке оперативной памяти в 2014 году - 1](https://www.pvsm.ru/images/2015/07/09/analitika-polojenie-del-na-rynke-operativnoi-pamyati-v-2014-godu.jpg "[Аналитика] Положение дел на рынке оперативной памяти в 2014 году - 1")
Первые видеокарты на High Bandwidth Memory от AMD появятся уже через несколько месяцев
2015-05-20 в 10:12, admin, рубрики: amd, dram, GDDR5, High Bandwidth Memory, R9 290X, R9 390X, radeon, Видеокарты, видеоускорители, Железо, нанотехнологии, новинки, память, электроникаНовый тип памяти призван обеспечить дальнейший рост производительности
Как считает сама AMD, компания годами определяла новые типы памяти для графических ускорителей, а остальная индустрия выступала в роли догоняющего. Это давало продуктам AMD конкурентное преимущество, к примеру, в своё время нововведение в виде GDDR5 обеспечило Radeon HD 4870 лидерство по производительности. В итоге GDDR5 стала стандартом, но с момента её первого появления прошло уже семь лет, и каких-либо фундаментально новых изменений не происходило. Следующий прорыв должен обеспечить стандарт High Bandwidth Memory (память с высокой пропускной способностью). Первый видеоускоритель на его основе может выйти уже через несколько месяцев.
Читать полностью »
Как получить статус суперпользователя с помощью уязвимости DRAM: Техника Rowhammer
2015-03-13 в 10:11, admin, рубрики: dimm, dram, linux, rowhammer, Блог компании 1cloud.ru, информационная безопасность, ит-инфраструктура, уязвимости, физические уязвимости 
Исследователи информационной безопасности из Google создали эксплойт, который эксплуатирует физические слабости чипов DDR-памяти определенных типов, для повышения прав не-доверенных пользователей на Intel-совместимых компьютерах, работающих под Linux.
В посте в блоге проекта Project Zero специалисты Google описали технику эксплуатации уязвимости, которая заключается в изменении значений отдельных битов данных (bit flipping), хранящихся в модулях чипов DDR3, которые называют DIMM. В прошлом году исследователи доказали, что подобная подмена битов может быть осуществлена с помощью воздействия на небольшие участки памяти, которое приводит к изменению хранящихся там данных. Представители Google показали, как все это может быть использовано для реальной атаки.Читать полностью »
Как компании справляются с растущей лавиной данных? Действительно ли мертва лента?
2015-02-26 в 8:44, admin, рубрики: dram, HAMR, Kinetic Open Storage, seagate, ssd, Блог компании Seagate, ленточные накопители, облачные технологии, хранение данных Джо Фаган, старший директор подразделения облачных инициатив в регионе EMEA, Seagate Technology
1. Есть ли место ленточным накопителям в эпоху облачных хранилищ, виртуализации и твердотельной памяти?
Одна из причин, по которой многие компании и организации продолжают использовать ленточные накопители для резервного копирования, аварийного восстановления и долговременного хранения данных, состоит в том, что эта технология дает дополнительные гарантии безопасности. Однако этот подход требует повышенных расходов на управление, транспортировку и хранение ленточных носителей. Кроме того, лента может стать проблемой при длительном хранении данных, ведь многие организации должны иметь доступ к архивам в течение 15 или даже 30 лет.
Отчасти поэтому причин для использования ленточных носителей становится все меньше. Новые технологии, предлагающие повышенную гибкость, надежность, скорость доступа и снижающие стоимость владения, замещают ленту как резервное хранилище. Большинство восстановлений производится с актуальных резервных копий, поэтому удобнее и дешевле использовать для их хранения специализированные устройства или автономные сетевые накопители (D2D backup). Тогда при необходимости резервная копия может быть перемещена на другое устройство или в «облачное» хранилище.
Лента не может конкурировать с диском и в качестве носителя резервных копий для аварийного восстановления. Сетевое хранилище гораздо привлекательнее.
Читать полностью »
Samsung запускает массовое производство первого в индустрии 8-гигабитного чипа мобильной DRAM-памяти LPDDR4
2014-12-26 в 11:37, admin, рубрики: ddr3, ddr4, dram, lpddr3, Samsung, Блог компании SamsungДоброй пятницы!
Компания Samsung запускает решение следующего поколения — новый чип мобильной памяти высокой плотности LPDDR4, тем самым открывая дверь в эру мобильной DRAM-памяти емкостью 4 ГБ для качественно нового уровня производительности мобильных устройств. Массовое производство первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 по 20-нм тех. процессу уже стартовало. Новый чип мобильной памяти позволит продлить время работы аккумулятора и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением изображения.
