Всем привет! Как вы знаете, современная планарная флеш-память NAND почти исчерпала свой потенциал. Основной её проблемой является то, что уменьшать размеры кристалла становится все труднее. По прогнозам экспертов, 14-15 нм технологические нормы станут пределом планарной флеш-памяти, по крайней мере на ближайшее время. А на смену ей придет технология «вертикальной» флеш-памяти – 3D NAND.
Добрый день!
Samsung Electronics на днях представила новую линейку твердотельных накопителей 850 EVO, которая пополнила существующий модельный ряд SSD-дисков компании. Накопители созданы на базе технологии флеш-памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками и обеспечивают значительный прирост производительности и износостойкости по сравнению с предыдущим поколением. Если раньше подобные решения производились, преимущественно, для нужд корпоративного сегмента, то сейчас Samsung считает, что настало время и для обычных ПК. Новые SSD 850 EVO поступят в продажу в 53 странах Америки, Европы и Азии, начиная уже с этого декабря.
Читать полностью »
Добрый день!
Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства твердотельных накопителей 3D V-NAND с интерфейсом NVMe и объемом памяти 3,2 ТБ, предназначенных для использования в высокопроизводительных корпоративных серверных системах hi-end сегмента.
Добрый вечер!
Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.
Добрый день!
В начале месяца компания Samsung Electronics представила новую линейку SSD-накопителей с передовой технологией 3D V-NAND на борту — Samsung 850 PRO. Новинка, представленная на глобальном саммите «SSD 2014» в Сеуле, призвана открыть новое поколение твердотельных дисков.
SSD-накопитель 850 PRO базируется на запатентованной технологии 3D V-NAND компании Samsung, представляющей собой вертикальную трехмерную структуру ячеек памяти и являющейся прорывом в преодолении существующих технологических пределов чипов с двухмерной структурой, используемых в традиционных накопителях.
Добрый день!
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V- NAND, имеющей в своей объемной структуре 32 вертикально сложенных слоя ячеек памяти.
Доброй пятницы!
На прошлой неделе Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска флэш-памяти с объемной компоновкой 3D Vertical NAND (V-NAND), которая призвана сделать прорыв и обеспечить возможности для дальнейшего уменьшения NAND Flash. Новая 3D V-NAND флэш-память будет использоваться в широком спектре потребительской электроники и корпоративных решений, в том числе, во встроенных NAND и SSD-накопителях.
