Доброй пятницы!
Samsung Electronics объявила о начале массового производства передовой 8-гигабитной памяти DDR4, а также соответствующих модулей емкостью 32 ГБ на основе 20-нм техпроцесса для мощных серверных систем и центров обработки данных.
Рубрика «3d tsv»
Samsung Electronics начинает серийное производство первой в отрасли 8-гигабитной DDR4 на основе 20-нм техпроцесса
2014-10-31 в 11:30, admin, рубрики: 3d tsv, ddr3, ddr4, lpddr3, Samsung, Блог компании Samsung
Samsung начинает массовый выпуск первых в отрасли модулей памяти DDR4 на базе технологии 3D TSV
2014-08-28 в 12:57, admin, рубрики: 3d tsv, 3D V-NAND, ddr4, dram, rdimm, Samsung, Блог компании Samsung, ЖелезоДобрый вечер!
Вчера Samsung Electronics объявила о начале массового производства первой в отрасли RDIMM памяти стандарта DDR4 емкостью 64 ГБ. Новые модули состоят из 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых, в свою очередь, состоит из четырех кристаллов DDR4 DRAM емкостью 4 Гбит. Чипы отличаются низким энергопотреблением и производятся с использованием передового техпроцесса класса 20 нм. Микросхемы собираются в единый стек с помощью новейшего метода по сквозному соединению кристаллов под названием TSV (Through Silicon Via). Новые модули высокой плотности будут играть ключевую роль в дальнейшем развитии сегмента корпоративных серверов и облачных приложений, а также в диверсификации решений для центров обработки данных.
